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意(yi)法半導體新(xin)推出的SLLIMM?-nano智能功率模塊(IPM)引入新(xin)的封裝類型，并集成(cheng)更多元器件，加(jia)快300W以下低功率電機驅動(dong)器研發，簡化(hua)組裝過程。

3A和5A 模塊(kuai)內置當(dang)前(qian)*********的(de)600V超結(jie)MOSFET，最大限度提(ti)升空氣壓(ya)縮機、風扇、泵等設備的(de)能效。各種直列引(yin)腳或Z形(xing)引(yin)腳封裝有助于優化空間占用(yong)率，確保所需的(de)引(yin)腳間距。內部(bu)開孔選(xuan)項讓(rang)低價散熱器的(de)安裝更(geng)容易。此外，發射極開路輸出分開設計可簡(jian)化PCB板單路或三路Shunt (分流(liu)電阻)電流(liu)監視走線。

每個(ge)IPM模塊都包含由(you)六支MOSFET組成的(de)三相半橋和一個(ge)高(gao)(gao)壓柵驅動芯片。新(xin)增功能有(you)助于(yu)簡(jian)化(hua)保護(hu)電(dian)路(lu)(lu)和防錯電(dian)路(lu)(lu)設(she)計，包括(kuo)一個(ge)用(yong)于(yu)檢測(ce)電(dian)流(liu)的(de)未(wei)使用(yong)的(de)運放、用(yong)于(yu)高(gao)(gao)速錯誤保護(hu)電(dian)路(lu)(lu)的(de)比較器(qi)和用(yong)于(yu)監視(shi)溫(wen)度的(de)可(ke)選的(de)NTC (負溫(wen)度系(xi)數)熱敏電(dian)阻，還集成一個(ge)自舉二極管，以降低物(wu)料清單(BOM)成本，簡(jian)化(hua)電(dian)路(lu)(lu)板布局(ju)設(she)計。智(zhi)能關(guan)斷電(dian)路(lu)(lu)可(ke)保護(hu)功率開關(guan)管，欠壓鎖保護(hu)(UVLO)預(yu)防低Vcc或Vboot電(dian)壓引起的(de)功能失效。

超結MOSFET在25°C時通態(tai)電(dian)阻(zu)只有(you)1.0?，最(zui)大(da)(da) 1.6? ，低(di)(di)(di)電(dian)容(rong)和低(di)(di)(di)柵電(dian)荷可最(zui)大(da)(da)限度降低(di)(di)(di)通態(tai)損耗和開關(guan)(guan)損耗，從(cong)而提(ti)升20kHz以下硬開關(guan)(guan)電(dian)路的(de)(de)能(neng)效，包括各種工業(ye)電(dian)機驅(qu)動器(qi)，準許(xu)低(di)(di)(di)功率應用無(wu)需使用散熱器(qi)。此(ci)外，優化(hua)的(de)(de)開關(guan)(guan)di/dt和dV/dt上(shang)升速率確保EMI干擾(rao)處于一個較低(di)(di)(di)的(de)(de)級別，可以進一步簡化(hua)電(dian)路的(de)(de)設(she)計布局。

新模塊的(de)最高(gao)額定結(jie)溫是150°C，取得(de)了(le)UL 1557認證，電絕緣級別高(gao)達(da)1500Vrms/min。